平成25年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

2013 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • 第105回(2014年3月4日):Cui Yitao氏(JASRI)
    「HAXPES studies of fuel cell and Li ion battery materials」

  • 平成24年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2012 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • フロンティア化学(2012年5月28日):稲葉 稔氏(同志社大学)
    「燃料電池用低白金触媒の研究開発」
  • フロンティア化学(6月25日):劉紫園氏(ルネサスエレクトロニクス)
    「LSIの信頼性解析と半導体産業の展望」
  • 第104回(2013年2月28日):Stefac Heun氏(NEST, Istituto Nanoscienze-CNR and Scuola Normale Superiore, Pisa, Italy)
    「STM studies of Hydrogen on Graphene」

  • 平成23年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2011 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • フロンティア化学(2011年6月20日):神谷有二氏(サントリー)
    「21世紀企業における人材育成」
  • フロンティア化学(8月1日):清水紀弘氏(電気化学工業)
    「リビングアニオン重合を利用したスチレンーブタジエンブロックコポリマーの開発事例」

  • 平成22年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2010 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • フロンティア化学(2010年4月5日):宮田清蔵氏(東京工大)
    「固体高分子形燃料電池用カーボンアロイ触媒の開発」
  • フロンティア化学(5月17日):佐々木俊夫氏(住友化学)
    「精密化学の現状と研究戦略」

  • 平成21年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2009 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • フロンティア化学(2009年6月15日):青木 努氏(東芝燃料電池)
    「固体高分子形燃料電池の特長と開発課題」
  • フロンティア化学(6月22日):田中栄司氏(三菱化学)
    「環境問題改善に挑む化学企業〜歴史を振り返りつつ〜」
  • 第103回(2009年10月26日):坂井延寿氏(神奈川科学技術アカデミー準研究員)
    「希薄磁性半導体の室温強磁性発現機構の解明」

  • 平成20年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2008 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • フロンティア化学(2008年4月7日):渡辺久恒氏(半導体先端テクノロジーズSelete社長)
    「ナノエレクトロニクス産業をリードする人材のイメージとその育成手法」
  • フロンティア化学(4月21日):田島慶三氏(三井化学研究統括部主席部員)
    「日本の化学産業の未来」

  • 平成19年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2007 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • フロンティア化学(2007年5月28日):林 孝好氏(コーニングジャパン)
    「Introduction to Special Glass」
  • フロンティア化学(6月18日):池田和人氏(富士通研究所)
    「先端的材料プロセスが支える半導体産業の展望」
  • 第99回(9月27日):石原顕光氏(横浜国立大学)
    「非白金系触媒燃料電池の開発」
  • 第100回(12月7日): 水口将輝氏(東北大金研助教)
    「スピントロニクスの現状と将来展望」(尾嶋研OBゼミナール#7)
  • 第101回(2008年1月28日):唯美津木氏(東大院理・化学 准教授)
    「表面の精密設計による触媒機能創出と動的構造解析」
  • 第102回(2008年3月17日):和達大樹氏(ブリティッシュコロンビア大学・物理 PD)
    「強相関系酸化物の電子状態解析」

  • 平成18年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2006 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • 第95回(3月6日):Dr. Igor Konovalov(University of Leipzig)
    「Trap-sensitive relaxation of hot carriers excited by X-rays」
  • 第96回(4月25日):堀場弘司氏(理研SPring-8)
    「高輝度放射光でみる強相関酸化物薄膜の電子状態」(尾嶋研OBゼミナール#5)
  • フロンティア化学(5月15日):村井啓一氏(キャノン)
    「デジタル革命を支える材料技術」
  • 第97回(5月15日):萩本賢哉氏(ソニー)
    「半導体LSIプロセスにおける洗浄技術の現状と展望」(尾嶋研OBゼミナール#6)
  • フロンティア化学(5月22日):知京豊裕氏(物材機構)
    「半導体関連材料の化学」
  • 第98回(7月10日):吉武道子氏(物質・材料研究機構半導体材料センター)
    「金属上Al2O3エピタキシャル絶縁膜の成長とin-situ光電子分光」

  • 平成17年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2005 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • 第90回(4月25日):村岡浩一氏(東芝LSI基盤技術ラボ)
    「High-kゲート絶縁膜/Si界面の熱的劣化機構とその制御方法」
  • フロンティア化学(5月9日):小澤時典氏(STARC顧問)
    「半導体ロードマップと国際戦略」
  • 第91回(5月23日):Dmitry Kuruznyak氏(物質材料機構)
    「High-kゲート絶縁膜のコンビナトリアルPLD作製と評価」
  • 第92回(6月6日):阿部龍蔵氏(東大名誉教授、元放送大学)
    "Physics, education and my life"
  • フロンティア化学(6月27日):大塚康二氏(サンケン電気半導体研究所長)
    「発光素子の研究動向」
  • 第93回(7月4日):松本祐司氏(東工大フロンティア創造、講師)
    「フラックスの化学〜真空プロセスへの応用と酸化物エレクトロニクス〜」
  • 第94回((8月3日):Piero Pianetta教授(Stanford大学)
    「Synchrotron radiation micro beam analysis of star dust: Star Dust Project」

  • 平成16年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2004 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • フロンティア化学(4月26日):本間芳和氏(NTT物性科学基礎研究所:東京理科大)
    「ナノテクノロジーと表面科学」
  • 第85回(4月26日):間野高明氏(物材機構)
    「Formation of Quantum Dot Arrays by Self-Organized Anisotropic Strain Engineering」(尾嶋研OBゼミナール#3)
  • フロンティア化学(5月17日):廣瀬和之氏(XASA宇宙科学研究本部)
    「惑星探査ミッションと宇宙電子部品・材料化学」
  • 第86回((8月9日)::乃万裕一氏(日本IBM)
    「実装設計技術の現状と将来展望」(尾嶋研OBゼミナール#4)
  • 第87回(10月15日):西田篤司氏(千葉大学大学院薬学研究院教授)
    「薬学と表面科学の接点:基盤担持型パラジウム触媒の開発」
  • 第88回(1月17日):吉田鉄平氏(東大新領域藤森研助手)
    「高温超伝導体の角度分解光電子分光:電子構造の物質依存」
  • 第89回(2月21日):塚本史郎氏(東大生研助教授)
    「実用化を目指したInAs量子ドット研究の現状とMBE成長その場STM観察技術の開発」

  • 平成15年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2003 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • 第78回(4月14日):橋本浩行氏(キャノン中研)
    「グラファイト薄膜のAES評価とDNAマイクロアレイのTOF-SIMS分析」
  • フロンティア化学(4月21日):丹羽正昭氏(松下電器産業)
    「最先端ULSI開発の現状と課題」
  • 第79回(4月28日):石井 晃氏(鳥取大学工学部)
    「第一原理計算によるGaN結晶成長の研究」
  • 第80回(5月26日):嶋崎綾子氏(東芝セミコンダクター)
    「全反射蛍光X線分析によるSiウェハ上コンタミネーションの解析」
  • 第81回((7月14日)::嘉数 誠氏(NTT物性科学基礎研究所)
    「窒化物半導体デバイスと表面化学」
  • 第82回(8月4日):内海裕一氏(姫路工業大学)
    「ナノエコ材料・技術とシンクロトロン放射光」
  • 第83回(11月17日):藤田高弥氏(東レリサーチセンター)
    「半導体デバイスの断面キャリヤ分布観察と将来展望」(尾嶋研OBゼミナール#2)
  • 第84回(1月26日):松田 巌氏(東大理物)
    「金属/Si低次元系の表面構造、スペクトロスコピー、電気伝導」

  • 平成14年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2002 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • 第70回(1月28日):寺本光生氏(特許庁審査第3部)
    「特許制度の起源と今日的課題」
  • 第71回(4月22日):牛神 義行氏(新日本製鉄・鉄鋼研究所)
    「固相反応による電磁鋼板の結晶育成法」
  • 第72回(6月19日):田中浩三氏(住友化学筑波研究所)
    「材料分析・解析の現状と課題」
  • 第73回(7月1日):多賀康訓氏(豊田中央研究所)
    「薄膜ナノ構造制御と機能」
  • 第74回((11月6日)::Prof. Piero Pianetta(Stanford University)
    「Total reflection fluorescence analysis for ultra-low impurities on Si wafers」
  • 第75回(11月11日):山口豪氏(東芝研究開発センター)
    「ULSI用high-k材料の研究動向」
  • 第76回(12月16日):竹中久貴 氏(NTT-AT)
    「多層膜EUVミラーの開発状況と応用」
  • (2003年2月3日):門口拓生氏(東京ガス)
    「世界のガス事情、エネルギー問題と東京ガス」(尾嶋研OBゼミナール#1)
  • 第77回(2月10日):本間敬之氏(早稲田大学応用化学)
    「ナノ機能構造体形成のための電気化学プロセス」

  • 平成13年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2001 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • 第60回(4月16日):前田就彦氏(NTT物性科学基礎研究所)
    「GaNの結晶成長と電子デバイスへの応用」
  • 第61回(5月21日):猪飼正道氏(豊田中研)
    「有機EL表示デバイスの現状と今後の課題」
  • 第62回(6月4日):児玉直樹氏(日立ストレージシステム事業部)
    「ディスクドライブにおける磁気記録応用」
  • 第63回(6月25日):Mikk Lippmaa氏(東京工大)
    「Formation of Manganite nanostructures using Combinatorial PLD Walkman」
  • 第64回(8月6日):Dr. Z.X. Xie(廈門大学)
    「Self-assembled binary monolayers of n-alkanes on a reconstructed Au(111) and a HOPG surfaces」
  • 第65回(8月22日):村松康司氏(原研SPring-8)
    「軟X線発光・吸収分光法を用いた炭素機能材料の電子・構造解析」
  • 第66回(9月17日): 前山 智氏(高知女子大学) 「XAFSの原理と最近の研究動向」
  • 第67回(10月15日):竹田 諭氏(旭硝子中央研究所)
    「実用機能性ガラスに求められる特性およびその特性支配因子」
  • 第68回(11月7日): 新田淳作氏(NTT物性科学基礎研究所)
    「半導体中のスピン制御と伝導現象」
  • 第69回(11月12日):Tian氏(廈門大学)
    「METAL NANORODS AND SURFACE SCIENCE」

  • 平成12年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    2000 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • 第52回(4月4日):横尾 篤氏(NTT物性基礎研究所)
    「ナノプリント技術と微細構造形成への応用」
  • 第53回(4月17日):田村浩之氏(NTT物性基礎研究所)
    「半導体ナノ構造における新物性」
  • 第54回(5月8日):大久保俊文氏(東大新領域研究科)
    「磁気/光超高密度記録システムの基礎検討」
  • 第55回(5月15日):小川 晋氏(日立基礎研究所)
    「フェムト秒レーザによる2光子励起時間分解光電子分光」
  • 第56回(6月19日):杉崎 満氏(科学技術振興事業団創造科学技術推進事業ERATO舛本単一量子点プロジェクト)
    「InP自己形成型量子点における顕微イメージと発光スペクトル」
  • 第57回(6月27日):Dr. Stefan Heun (Sincrotrone Trieste, Elettra in Italy)
    "Spectromicroscopy of nanostructures by SR-PEEM"
  • 第58回(7月17日):浅川 潔氏(フェムト秒テクノロジー研究機構)
    「ナノプローブによるナノーフォトニック構造の精密制御:位置制御量子ドットと2Dフォトニック結晶」
  • 第59回(8月21日):木村正雄氏(新日鉄先端技術研究所)
    「X線で材料の融ける様子を見てみると」

  • 平成11年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    1999 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • 第34回(4月7日):本多直樹氏(秋田県高度技術研究所)
    「垂直磁気記録システムにおける新技術」
  • 第35回(4月19日):五十嵐教之氏(物質構造科学研究所)
    「生物におけるエネルギー生成系の進化とタンパク質結晶構造解析」
  • 第36回(4月26日):Dr. Henric Oscarsson(Chalmers University of Technology, Sweden)
    「Recent activity of BL-41 of Max-lab --studies of electronic structures MBE-grown semiconductor quantum structures」
  • 第37回(5月14日):原 史朗氏(電子技術総合研究所)
    「半導体クリーン化技術のSchottky障壁研究への応用」
  • 第38回(5月31日):永瀬雅夫氏(NTT物性基礎研究所)
    「パターン依存酸化により形成したSiナノ構造と単電子トランジスターへの応用」
  • 第39回(6月21日):淡路直樹氏(富士通)
    「酸化膜の結晶成分のinsitu観察」
  • 第40回(6月28日):長谷川修司氏(東大理学部物理)
    「シリコン表面の構造と電気伝導」
  • 第41回(7月19日):神谷 格氏(三菱化学横浜総合研究所)
    「GaAs結晶成長リアルタイム観察と量子ナノ構造」
  • 第42回(8月30日):高増 正氏(金属材料技術研究所)
    「強磁場を用いた半導体物性研究」
  • 第43回(9月13日):小池和幸氏(日立基礎研究所)
    「ナノスケール磁性と高密度記録」
  • 第44回(10月18日):知京豊裕氏(金材研)
    「コンビナトリアル法によるナノ構造の創製」
  • 第45回(11月9日):張訓生教授(折江大学物理)
    「Study on CO + c(2x2)Cs/Ru(10-10) by Photoelectron Spectroscopy」
  • 第46回(11月24日):白石賢二氏 (NTT物性基礎研究所)
    「半導体格子不整合におけるエピタキシと界面形成の理論的検討」
  • 第47回(12月2日):制野かおり氏(鳥取大学)
    「第1原理計算によるGaAs表面の原子オーダ制御」
  • 第48回(12月13日):島川祐一氏(NEC基礎研究所)
    「パイロクロア型酸化物Tl2Mn2O7のCMRとペロブスカイト型酸化物のスピントンネルMR素子」
  • 第49回(1月17日):岩住俊明氏(高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所)
    「X線発光分光による磁性材料研究」
  • 第50回(2月2日):Lund University (Sweden) Dr. Struan M. Gray
    「STM based Photoemission Microscopy」
  • 第51回(2月29日):昭和電工総合研究所 三木久幸氏
    「特許の基礎知識:青色発光ダイオードの開発をケーススタディにして」

  • 平成10年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    1998 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)


  • 第23回(4月10日):村瀬克己氏(NTT基礎研究所)
    「Si単電子デバイス・プロセス技術」
  • 第24回(4月28日):秋永広幸氏(JRCAT)
    「強磁性体/半導体ヘテロ構造の作製と磁気デバイスへの応用」
  • 第25回(5月15日):廣瀬和之氏(宇宙科学研究所)
    「高温エレクトロニクスを目指す半導体界面の研究」
  • 第26回(6月19日):向井剛輝氏(富士通研究所)
    「MOCVD, MBEにおける自己形成量子ドットの試み」
  • 第27回(7月10日):前田辰郎氏(電子技術総合研究所)
    「Siデバイスの微細加工・形成技術」
  • 第28回(8月28日):H.W. Yoem氏(東京大学理学部スペクトル化学センター)
    「角度分解光電子分光によるSi表面の低次元物性」
  • 第29回(9月25日):杉井信之氏(日立中央研究所)
    「SiGe高移動度ヘテロ構造とデバイス応用」
  • 第30回(10月9日)):金田千穂子(富士通研究所)
    「SiO2 中およびSiO2/Si 界面の欠陥挙動:第一原理計算」
  • 第31回(11月20日):馬場祐治氏(日本原子力研究所)
    「表面吸着分子の軟X線光化学」
  • 第32回(12月14日):小出常晴氏(KEK物質構造科学研究所)
    「ナノスケール磁性体の円偏光放射光利用内殻吸収MCD」
  • 第33回(1月20日):山本二三男氏(NTTアドバンステクノロジ)
    「光通信における高分子テクノロジー」

  • 平成9年度半導体表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    1997 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)

  • 第10回(4月2日):Dr. Stefan Heun(Laboratorio TASC-INFM)
    「Interface composition and stacking fault density in II-VI/III-V heterostructures」
  • 第11回(4月14日):浅井孝祐氏(住友金属工業)
    「GaAs on Siヘテロエピタキシャル成長」
  • 第12回(5月23日):村下 達氏(NTTシステムエレクトロニクス研究所)
    「集光型STM発光分光装置の開発」
  • 第13回(6月26日):杉村博之氏(名古屋大学工学部)
    「単分子層レジストとナノリソグラフィ」
  • 第14回(6月27日)):橘野 裕氏(昭和電工秩父研究所)
    「ZnSe系化合物半導体の研究」
  • 第15回(7月29日):米田忠弘氏(日本TI筑波研究所)
    「ドーパント(B,P)表面析出によるSi(001)表面構造変化のSTM観察;特異なステップ構造および表面原子構造の観察」
  • 第16回(8月19日):Rupert Perera氏(ALS, U.C. Berkeley)
    「X-ray absorption and resonant X-ray emission spectra of dilute magnetic semiconductors」
  • 第17回(9月26日):水木純一郎氏(原研関西研究所)
    「ナノ分子結晶C60固体の魅力−構造と超伝導との関係をとおして−」
  • 第18回(10月1日):Oliver Rader氏(東大理学部物理)
    「Angle- and spin-resolved photoelectron spectroscopy of MnSb(0001)」
  • 第19回(10月21日):西研一氏(NEC光・超高周波デバイス研究所)
    「MBE法による量子ドット結晶成長」
  • 第20回(11月4日):Stefan Foelsch氏(Institut fuer Experimentalphysik, Freie Universitaet Berlin)
    「Surface topography determination by spot profile-analyzing low-energy electron diffraction (SPALEED)」
  • 第21回(11月18日):相浦義弘氏(電子技術総合研究所電子基礎部)
    「角度走査型光電子分光装置の開発」
  • 第22回(12月11日):中村守孝氏(富士通)
    「ドライエッチングの表面反応過程と,半導体エッチングプロセスにおける地球温暖化対策」

  • ・ス成8年度半導・フ表面化学セミナー(尾嶋研セミナー)

    1996 Semiconductor Surface Chemistry Seminar(Oshima Lab Seminar)

  • 第1回(4月23日):東京ガスフロンティアテクノロジー 研究所 山下 敏氏
    「ダイヤモンド研究の展望ーDiamonds are foreverー」
  • 第2回(5月31日):NTT LSI研究所 佐藤芳之氏
    「超LSIの研究動向と展望ードーピング技術ー」
  • 第3回(6月28日):NTT境界領域研究所 林 孝好氏
    「インテリジェント材料の研究展望」
  • 第4回(7月30日):金属材料技術研究所 塚本 史郎氏
    「S終端処理を施したGaAs(001)表面の再配列構造」
  • 第5回(9月25日):富士通厚木研究所 堀井 義正氏
    「放射光による半導体材料評価」
  • 第6回(10月25日):台湾放射光研究所Ruth Klauser博士
    "Spectromicroscopy project at SRRC and initial SRPES studies on the surface of diamond"
  • 第7回(11月26日):日立基礎研究所 保坂 純男氏
    「SPMによる超微細加工」
  • 第8回(12月11日):NEC基礎研究所 松井真二氏
    「電子ビ−ムを用いた超微細加工技術とその応用」
  • 第9回(1月24日):富士通 山田雅雄氏
    「ULSI最先端配線技術とその将来像」
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